Maxwell equations; elemental semiconductors; finite difference time-domain analysis; light absorption; silicon; substrates; Maxwell equations; device scaling effect; finite-difference time-domain method; oxide trenches; rigorous coupled wave analysis; silicon gates;
机译:器件缩放对晶圆正面光谱吸收率的影响
机译:图案化晶圆的光谱吸收率建模
机译:晶圆级高质量微管器件通过干蚀刻制造光学和微电子应用
机译:器件缩放对晶片正面光谱吸收率的影响
机译:用于下一代光伏面板的固定式光学集中器设计和晶圆级单片集成半导体器件
机译:晶圆级外延石墨烯上生成的化学传感器用于一线药物检测
机译:全方位,光谱选择性,晶片级制造的金属电介质2-D光子晶体,用于高温能量转换
机译:用于Valleytronic器件的2D Ws2的晶圆尺度增长。