机译:后金属化退火Al_2O_3 /本征氧化物/ n-GaN电容器的特性
机译:基于超薄原子层沉积的Al2O3和后金属化退火的金属-绝缘体-半导体电容器中的栅极隧穿电流的精确建模
机译:纳米和宏观表征后沉积退火Er 2 sub> O 3 sub> MOS电容器的电荷俘获和衰减机理
机译:在n {sub} 2中金属化退火后的W-LA {SUB} 2O {SUB} 3-NSI MIS电容器的电荷捕获特性
机译:金属氧化物半导体电容器中电子束感应电流的俘获电荷界面调制。
机译:H2高压退火对HfO2 / Al2O3 / In0.53Ga0.47As电容器的影响:化学成分和电特性
机译:通过NH3POST退火对ZRO2的电荷捕获非易失性存储器的改进的存储器特性