LSTP Application; FUSI Gate; Hf-based Gate Dielectrics;
机译:具有Ni-FUSI电极的PVD-HfSiON栅极电介质,用于65nm LSTP应用
机译:在PVD-HfO_2上具有FUSI栅极的45nm LSTP FET,通过先进的PDA处理具有出色的可驱动性
机译:镧在门叠中的作用:H基介电材料上的共溅射Talan金属门
机译:用于LSTP应用的PVD对HF基栅电介质的前景
机译:氮结合的氧化f栅介电薄膜和钛基金属栅电极用于双栅应用。
机译:在硅晶片上合成的用于栅极电介质应用的新型高k碳氢化合物薄膜的原子力显微镜数据
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件