copper; integrated circuit metallisation; materials preparation; tantalum; transmission electron microscopy; 0.13 micron; 90 nm; Cu; TEM imaging; Ta; barrier characterization; copper technology IC devices; integrated circuit metallisation; sample preparation; seed lay;
机译:铜技术IC器件的势垒和种子层表征面临的挑战
机译:在SiO_2上进行化学镍合金沉积,用作3D铜互连技术中的扩散阻挡层和种子层
机译:存在铜籽晶层时在势垒层Ta和TaN上的选择性铜沉积
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机译:分子电子学中钯种子层上ALD铜薄膜的表征。
机译:西班牙裔老年人对使用辅助技术设备的个人与情境和技术相关的障碍的感知
机译:ALD生长的种子层,用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积
机译:现代微电子和光子器件和技术的辐射测试,表征和资格挑战