doping profiles; failure analysis; p-n junctions; scanning electron microscopy; semiconductor device testing; silicon compounds; surface roughness; wide band gap semiconductors; 2D dopant profile; 2D junction delineation; SiC; failure analysis; junction location; p/s;
机译:通过扫描电容显微镜在硅器件中定义零场条件并描绘pn结的新过程
机译:预测碳化硅功率器件中的宇宙射线诱发的故障
机译:用于p-n结器件制造的非晶碳化硅薄膜的低温结晶
机译:二维结描绘用于碳化硅器件的故障分析
机译:碳化硅功率结场效应晶体管的物理模型和半导体器件的模型级别。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:使用高压直流总线和碳化硅功率器件的集成电源系统中的系统范围失真分析