near interface traps; oxide; SiO_2 intrinsic defects;
机译:SiO_2缺陷是SiC / SiO_2系统中近界面陷阱的可能成因:系统的理论研究
机译:基于第一性原理计算的SiC / SiO_2界面碳相关缺陷形成的氧化作用
机译:SiC / SiO_2界面附近C = C缺陷的第一性原理研究:双键饱和引起的钝化缺陷
机译:搜索近邻接氧化物疏水阀 - 内在SIO_2缺陷的第一原理计算
机译:氧化锌及相关材料中缺陷能的第一性原理计算。
机译:石墨烯/金属氧化物界面的肖特基势垒:第一性原理计算的见解
机译:第一性原理计算铝掺杂β-Ga2O3与内在缺陷的电子和光学性质
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成