SURFACE; PREPARATION; TECHNIQUES;
机译:具有高k /金属栅结构的金属氧化物半导体器件中高k / SiO_2界面处偶极子形成的物理起源
机译:锗凝结技术制作的高k栅介质和金属栅GOI-MOSFET的分析
机译:适用于p型FinFET高k /金属栅极器件的有效功函数控制技术
机译:用于制造高k /金属栅极装置结构的表面制备技术
机译:具有高k栅极氧化物和金属栅极的MOS器件中的辐射响应。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:所选智能像素的回顾:自电光效应器件,surfaceEmitting激光逻辑器件,双异质结构光电开关,二极管激光逻辑,淬火激光光学门