PECVD; Silicon nitride; Stress; Manufacturing;
机译:具有部分底部-富含硅的氮化物结构的氧化硅-氮化物-氧化物-硅-非易失性半导体存储器件的耐久性和数据保留性能的提高
机译:热线化学气相沉积法超快沉积氮化硅和半导体硅薄膜
机译:NEC Compound Semiconductor Devices,Ltd.开发符合5 GHz频率的硅锗半导体
机译:化合物半导体器件制造的高通量应力控制氮化硅沉积
机译:聚硅烷聚合物基薄膜的化学气相沉积和表征及其在化合物半导体和硅器件中的应用。
机译:使用多层推挽式等离子体源的VHF(162 MHz)-PECVD用于柔性有机电子设备的氮化硅沉积
机译:聚硅烷聚合物基薄膜的化学气相沉积和表征及其在化合物半导体和硅器件中的应用