High temperature electronics; High power devices; III-nitrides; InAlN/GaN heterostructure;
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:Inaln - 一种基于GaN的血管的新屏障材料
机译:使用基于GaN的材料用于器件应用的多功能纳米结构的成核和形成研究。
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:具有alGaN背势垒的Lg 50 nm InalN / alN / GaN HEmT的静态和动态特性,适用于高功率毫米波应用