開口ナノチューブ端からの単層カーボンナノチューブの繰り返し合成

摘要

本研究では，基板上の単層CNTを開口し，その端部をテンプレートとして用いて単層CNTの合成を行った．単層CNTテンプレートの活性化処理条件により，新たに成長する単層CNTの合成量が変化することが分かった．また，活性化処理および合成過程を複数回繰り返すことで単層CNTの合成量が増加することを示した．AFMによる分析を行い，テンプレートとなる単層CNTの直径と，新たに成長した単層CNTの直径は同程度であることが分かった．ラマン分光測定により，新たに成長した単層CNT部分から単層CNTに特徴的なGバンドのピークを確認した．