193nm; SEM; resist; CD variation; CD process integration;
机译:193nm抗蚀剂的进展:开发工艺对含酐抗蚀剂材料的影响
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机译:193nm顶表面成像工艺的非化学放大抗蚀剂和化学放大抗蚀剂的光刻性能
机译:193NM Metrology:面临严重的电子束/抗蚀性相互作用现象
机译:低能电子束辐照对分离门测试结构上石墨烯和石墨烯场效应晶体管的影响以及石墨烯的拉曼计量。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:193NM的高折射率流体评估:流体寿命和流体/抗蚀剂相互作用研究
机译:改性马来酸酐共聚物作为电子束抗蚀剂。