机译:所有具有p / n-InGaP电流阻挡层的MOCVD生长的850纳米波长折射率引导的半导体埋入式垂直腔表面发射激光器
机译:通过金属有机气相外延和原位反射法生长的高度均匀且可重现的垂直腔面发射激光器
机译:在[311] B和[100]衬底上生长的基于850 nm GaAs的垂直腔面发射激光器的动态偏振稳定性的研究
机译:通过MOCVD生长的高度均匀且可重现的850 nm垂直腔面发射激光器
机译:850 nm垂直腔面发射激光器的设计,制造和表征。
机译:覆盖绿色间隙的量子点垂直腔表面发射激光器
机译:通过金属有机化学气相沉积生长的高度均匀且可再现的垂直腔表面发射激光器
机译:通过mOVpE生长的近红外垂直腔面发射激光器具有高度均匀和可再现的可见性