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Controlling CMP removal rate profiles using empirical modelling

机译:使用经验模型控制CMP去除率配置文件

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摘要

Executive Summary: This paper focuses on an improved and unique method for optimizing CMP process parameters. RSM experimental designs are used to study the effect of input parameters on the removal rate at radial points of the wafer (removal rate profiles). Multiple linear regrssion models [GSeo. Box, W.G. Hunter, J.S.Hunter "statistics for Experimenters"] are used to establish the removal rate function at each radius. Once the coefficients and equations are established, input parameters are hypothetically varied until machine set points are found resulting in the flattest possible profile or one matching the incoming film porifle. The Sover feature in Excel spreadsheets quickly finds possible set points. The method is useful for engineering processes, validation designs, and providing supporting data or theories of operation.
机译:执行摘要:本文重点介绍了优化CMP工艺参数的改进和独特的方法。 RSM实验设计用于研究输入参数对晶片径向点的去除率的影响(去除速率剖面)。多个线性重新分子模型[GSEO。盒子,W.G. Hunter,J.S.Hunter“实验者统计”]用于在每个半径上建立去除率函数。一旦建立系数和方程,就会发现输入参数,直到找到机器设定点,导致可能的轮廓或匹配进入的薄膜型型曲面的一​​个可能的曲线。 Excel电子表格中的SOVER功能快速查找可能的设定点。该方法可用于工程过程,验证设计和提供支持数据或操作理论。

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