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STI Gap-Fill Technology with High Aspect Ratio Process for 45nm CMOS and beyond

机译：STI Gap-填充技术，具有45nm CMOS及更高的高纵横比工艺

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《IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop》|2006年||共6页
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Tilke A.T.; Culmsee M.; Jaiswal R.; Hampp R.; Conti R.; Galiano M.; Stapelmann C.; Wille W.; Jain A.;
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中图分类 TN305-53;
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