机译:使用In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As覆盖层和SiO / sub 2 /介电盖层通过无杂质空位扩散对In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / InP多量子阱结构进行带隙调谐
机译:压缩应变In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InGaAsP / InP(0.53> or = x> or = 0.73)多量子阱激光器的俄歇复合率
机译:具有不同N含量的中红外InN_xAs_(1-x)/ In_(0.53)Ga_(0.47)As / InP多量子阱的光致发光特性
机译:中/亚/亚/幼/亚0.47 / AS / IN / SUS X / GA / SUB 1-x / AS(x <0.6)富有素母散热佛转换器
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:Ga0.47In0.53As多量子阱异质结构,由与InP晶格匹配的伪四元(InP)n /(Ga0.47In 0.53As)m短周期超晶格限制
机译:应变绝缘体在(x)al(1-x)as / n(+) - In(0.53)Ga(0.47)as异质结构场效应晶体管