submicron device; 60 m; 120 MHz; 32 to 78 GHz; 0.25 micron; tuning bandwidth; voltage-controlled oscillator; monolithic IC applications; millimeter-wave; abrupt varactor diodes; integrated high-Q varactors; MESFETs; quarter micron; VCO; Ka band; VFO;
机译:集成高Q GaAs变容二极管和0.25μmGaAs MESFET用于多功能毫米波单片电路应用
机译:使用直接离子注入GaAs MESFET的Ka波段单片低噪声放大器
机译:单片Ka波段0.25μmGaAs MESFET发射器,可实现大批量生产
机译:使用四分之一微米GaAs MESFET和集成高Q变容二极管的单片Ka波段VCO
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:可变形共面波导(CPW)和半模衬底集成波导(HMSIW)带阻滤波器使用压敏电阻加载超材料激发的开放式谐振器
机译:一种新型基于Insb的光像素,具有用于视频采样的单片集成Gaas mEsFET
机译:X波段变容二极管调谐单片Gaas FET振荡器