机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:使用受控反应离子刻蚀化学对硅光子器件进行表面修整
机译:通过深反应离子刻蚀和电刻蚀,具有微纳米分层结构的超疏水硅表面
机译:反应离子刻蚀后对硅表面的光清洗
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:反应性衬底对不同侵袭性自蚀刻粘合剂光聚合的影响
机译:使用深反应离子蚀刻和灰度曝光,光掩模图案化用于坡度深蚀刻
机译:反应离子刻蚀和溅射刻蚀诱导Gaas表面损伤