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1-ヘキセンを用いた高多孔率ポーラスシリコンの超臨界CO_2流体中のヒドロシリル化

机译:具有1-己烯的高孔隙率多孔硅的超临界CO_2流体的氢化硅烷化

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摘要

通常の結晶Siは,発光しないが,ポーラスシリコン(PSi)のように,ナノ結晶になるとフォトルミネッセンス(PL)やエレクトロルミネッセンス(EL)が生じる.我々の研究グループでは,これまでPSiパウダーを製作し,高圧水蒸気アニール(HWA)処理により試料表面を高品質な酸化膜で終端することで,発光の高安定化を実現し,絶対量子収率(AQY)~30%を得ることに成功した.しかし,試料表面の酸化膜は,ルミネセンスの波長域を制限する場合がある.そこで,我々は多孔率68%のPSi層に対し1-ヘキセンを用いた気相ヒドロシリル化反応法を行い,表面を有機基(CmHn)で終端をすることで高安定の発光PSiを得た.
机译:尽管正常晶体Si不发光,但是当纳米晶体如多孔硅(PSI)上制成纳米晶时,发生膜Nessens(PL)和电致发光(EL)。在我们的研究组中,我们已经制造了迄今为止的PSI粉末,并用高质量的氧化膜终止样品表面,用高质量的氧化膜处理,以实现光发射的高稳定性,以及绝对量子产量(AQY)获得30%。然而,样品表面上的氧化物膜可以限制发光的波长范围。因此,我们使用孔隙率为68%的PSI层进行了使用1-己烯的气相氢化硅烷化反应,并且表面用有机基团(CMHN)终止,得到高度稳定的发光PSI。

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