Mg イオン注入GaN の電気的特性に対する長時間低温キャップアニールにおけるキャップ層材料の影響

摘要

GaN デバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp 型領域を形成するにはMg イオン注入が有効な手段となる可能性が高い。しかし、常圧の電気炉熱処理によるアクセプタ活性化技術は未だ確立されていない。技術確立のためには、Mg イオン注入により、GaN バルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べ、それらの熱的な振る舞いを理解することが重要である。本報告では、Mg イオン打ち込みを行った後の長時間低温アニール中におけるキャップ層材料の違いが、GaN の電気的特性に与える影響について報告する。