Feナノドットアレイを用いた ダブルゲー卜単電子デバイスの作製と評価

摘要

ナノドットアレイを用いた単電子デバイス（Single-Electron Device: SED)は、多数の入力端子を取 り付けることが容易で、低消費電力•高機能性が可能な将来の集積デバイスとして応用が期待さ れている。しかしながら、多数のドットにより電流振動特性が平均化され、観測されないのでは という懸念から、基本特性の理解が進hでいない。我々は、数百個以上のドットが存在するにも 関わらず、明瞭な単電子効果による電流振動特性が観測されることを見出した。本研究では、 より高機能なゲート制御を目指して、ダブルゲートSEDを作製し、振動特性を評価した。