マルチスケール応力解析手法を用いたSiトレンチMOSFETのウエハ反り予測

摘要

トレンチMOSFETにマルチスケール応力解析手法を適用することで，異方性を持ったウエハ反りを製造工程毎に予測可能とした。講演では，本技術の活用事例も報告する。