GaN HBTの作製に向けたp型GaNのドライエッチング

摘要

窒化ガリウム系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(GaN HBT)は，次世代の通信用トランジスタとして期待されているが，ドライエッチングにより露出したp型GaN(ベース)への良好なオーミックコンタクトが取れないことが課題となっている[1]．これまでに，GaNでは誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング(ICP-RIE)におけるバイアスパワー(ias)を引き下げることで，エッチングダメージが低減し，ショットキー特性が改善することが報告されている[2,3]．本研究では，低iasのICP-RIEを用いることで，ドライエッチングしたp型GaNへのオーミックコンタクトの改善を試みた．