陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO_2膜の空隙の検出

摘要

【はじめに】陽電子消滅は，固体の空孔型欠陥や空隙を感度良く検出できる非破壊検査法である．陽電子が物質中に打ち込まれると，電子と対消滅し，主に2本のγ線を放出する．γ線のエネルギーはm0c2で得られるが，電子の運動量を反映したドップラー拡がりを示す．陽電子は原子核とのクーロン反発力のため，空孔型欠陥に捕獲される可能性がある．欠陥中の電子運動量分布は完全結晶の場合とは異なることを利用し欠陥を検出する．また，陽電子寿命測定によっても欠陥種の同定が可能である．