グラフェンマスクを用いた化学ビームエピタキシーによるGaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー

摘要

【はじめに】近年、窒化物半導体は LED、LD 等の光学素子、また、パワーデバイス応用と広い分野に応用され重要な素材となっている。我々は転位低減のため、マイクロチャンネルエピタキシーを GaNにも適用してきた。今回は、グラフェンマスクを GaNの低角入射マイクロチャンネルエピタキシー（LAIMCE）に使用し、良好な横方向成長が得られたので報告する。