Si基板上へのMnGa(001)配向膜の作製とイオン照射によるパターニング

摘要

低コストな基板を用いたイオン照射型MnGaビットパターン媒体の実現を目指し，熱酸化膜付きSi基板上におけるMnGa膜の作製を試みた。下地層材料や熱処理条件の検討を行うことにより，Si基板上のMnGa膜の特性向上を試みた。熱酸化膜付きSi基板上のMnGa膜は，MgO単結晶基板上のものに比べ，磁気特性や表面平坦性は劣るものの，大きな垂直磁気異方性を示す垂直磁化膜となることを確認した。このMnGa膜上にレジストパターンを形成し，イオン照射によってMnGa膜の磁気パターニングを行ったところ，ピッチサイズが100 nmまでの磁気パターンが観察され，熱酸化膜付きSi基板上でのMnGa膜のパターユングに成功した。しかし，ピッチサイズが60nmのパターンにおいては磁気コントラストが観察されず，MnGa膜の結晶性，配向性および均一性の改善が必要と考えられる。今後，これらの改善を行うことで，より微細なパターンの作製が可能であると考えられる。