CuBr_(1-x)I_x薄膜とZnOナノ ロッドを用いた透明微細構造pn接合の作製

摘要

本研究ではn型透明半導体であるZnOナノ ロッドとp型透明半導体であるCuBr_(1-x)I_x(CuBrI)薄膜をスピンコート法とディップコート法によりガラス基板上に堆積させ，透明な微細構造pn接合を作製した.作製したサンプルは，HXRDと透過スペクトル，SEM, I-V測定，EDXにより評価した.HXRDの結果より，ZnOナノ ロッドの強いピークとCuBrI薄膜の弱いピークを観測した.また，透過スぺクトルより透過率は約70%であることがわかつた.また，励起子吸収を観測したため，CuBrIが堆積していることがわかった.SEMの結果よりZnOナノロッドの長さは1.3μmであることがわかった.EDXの結果から，CuBrIがZnOナノロッドの隙間に入り込hでいることを確認した.またI-V測定の結果より，作製した透明微細構造pn接合サンプルの整流特性を観測した.