Advances in InP HEMT technology for high frequency applications

机译：InP HEMT技术在高频应用中的进展

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This paper reviews the remarkable progress being made in thedevelopment of InP HEMT devices and circuits for high frequency analogapplications. Despite possessing superior performance, widespread use ofInP HEMTs has to date been hindered by their relatively high cost (ascompared with GaAs-based devices). However, the commercialization ofHEMTs with high-indium-content InGaAs channels now appears to beinevitable due to recent progress on two parallel fronts-the developmentof metamorphic HEMTs (MHEMTs) and the scaling of InP substrates tolarger sizes (4 and 6-inch)

机译：本文回顾了在互联网上取得的显着进展。 InP HEMT器件和用于高频模拟的电路的开发应用程序。尽管具有卓越的性能，但仍广泛使用迄今为止，InP HEMT受其相对较高的成本（如与基于GaAs的设备相比）。但是，具有高铟含量InGaAs通道的HEMT现在看来是由于最近在两个平行方面的进展而不可避免-发展变质HEMT（MHEMT）和InP底物的结垢更大的尺寸（4和6英寸）

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来源
《Indium Phosphide and Related Materials, 2001. IPRM. IEEE International Conference On》||p.9-14|共6页
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作者
Smith P.M.; Nichols K.; Kong W.; MtPleasant L.; Pritchards D.; Lender R.; Fisher J.; Actis R.; Dugas D.; Meharry D.; Swanson A.W.;
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