首页> 外文会议>Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 1992. Technical Digest 1992., 14th Annual IEEE >A highly integrated wideband millimeter wave MMIC converter using0.25 μm p-HEMT technology
【24h】

A highly integrated wideband millimeter wave MMIC converter using0.25 μm p-HEMT technology

机译:一种高度集成的宽带毫米波MMIC转换器,使用0.25μmp-HEMT技术

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摘要

A highly integrated wideband converter was designed to upconvertthe entire 6-18-GHz input RF frequency band to a 22-GHz intermediatefrequency using a 28-40-GHz local oscillator. The circuit was designedusing 0.25-μm pseudomorphic HEMT (high-electron-mobility transistor)technology. The converter incorporates a three-stage RF amplifier, athree-stage LO (local oscillator) amplifier, and an active balancedmixer, all integrated on a single chip 2440×2440 μm in size
机译:高度集成的宽带转换器旨在上变频 整个6-18 GHz输入RF频段到22 GHz中间频段 使用28-40 GHz本地振荡器的频率。电路设计 使用0.25μm的伪晶HEMT(高电子迁移率晶体管) 技术。该转换器包含一个三级RF放大器,一个 三级LO(本地振荡器)放大器和一个有源平衡 混频器,全部集成在单个芯片上,尺寸为2440×2440μm

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