Backside-illuminated high-current photodiode for analog optical links

机译：背面照明的大电流光电二极管，用于模拟光学链路

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We fabricated a backside-illuminated high-current InGaAs/InP photodiode, and demonstrated an RF power of 25.8 dBm at 5 GHz. The third-order intercept point was 34.2 dBm at the photocurrent of 100mA, 5.2 GHz.

机译：我们制造了一个背面照明的高电流InGaAs / InP光电二极管，并在5 GHz的频率下显示了25.8 dBm的RF功率。在100mA，5.2 GHz的光电流下，三阶交调点为34.2 dBm。

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来源
《LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, 2008 IEEE》||P.288-289|共2页
会议地点
作者
Sakai Kiyohide; Nagatsuka Tsutomu; Itakura Shigetaka; Otsuka Hiroshi; Hirano Yoshihito;
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正文语种
中图分类工业技术;
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