Lateral asymmetry in silicon MOSFETs: A new path to improve their microwave noise performance

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• 来源
  《Recent Advances in Microwave Theory and Applications, 2008 International Conference of 》||P.297-298|共2页
• 会议地点
• 作者

  Danneville F.; Lim T. C.; Dambrine G.;

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• 作者单位

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种
• 中图分类 工业技术 ;
• 关键词

  Intrinsic noise correlation coefficient (C); laterally asymmetric channel (LAC-MOSFET); minimum noise figure (NFMIN);

  机译：本征噪声相关系数（C）;横向非对称沟道（LAC-MOSFET）;最小噪声系数（NFMIN）;