Logic gates; Resistance; Random access memory; Performance evaluation; Implants; Reliability; Degradation;
机译:采用14 nm FinFET技术的单位线7T SRAM单元,用于近阈值电压操作,具有增强的性能和能量
机译:具有22nm FinFET技术的增强读取性能的单端9T SRAM单元,用于近阈值电压操作
机译:具有不对称栅氧化层厚度的高性能束缚门三端FinFET和可变阈值电压独立门四端FinFET的协整
机译:用于超低电压操作的多功能高性能FINFET
机译:高性能超低压连续时间Δ-Σ调制器。
机译:丝网印刷水性超级电容器的性能稳定性和工作电压优化
机译:低温下SOI衬底上p沟道FinFET在饱和操作下的性能