50A大電流•790V耐圧縦型GaNショットキーバリアダオイードの開発

摘要

ショットキー電極サイズ3×3mm~2までの自立GaN基板上縦型GaN SBDを作製し評価した.3×3mm~2のSBDは順方向電流50Aと耐圧790Vとを両立するパワーデバイスとして有望な動作を示した.また,Ⅰ-Ⅴ特性のショットキー電極サイズ依存性も解析した.その結果,順方向特性についてはいずれのショットキ一電極サイズに対しても理想的な振る舞いをした一方で,いずれのショットキー電極サイズでも逆方向電流は理論的に予想されるものより大きかった.逆方向電流の振る舞いについては引き続き調査が必要であるものの,n~--GaN層の改善により順方向大電流を維持しつつさらに高い耐圧が得られると考える.