マグネトロンスパッタ法によるAZO 薄膜へのZn 添加方法の検討

摘要

Ⅲ族元素をドープしたZnO 薄膜は，低抵抗の膜となることから，ITO 薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている。そこで本研究室ではこれまで，ZnO に数wt.%のAl を添加したAZO 焼結体ターゲットを用い，スパッタ法により作製される，AZO 薄膜の検討を行ってきた。しかし，7×10~(-4) ･cm より小さい抵抗率のAZO 薄膜を得ることができなかった。一方，ZnO 材料のみの膜においても，低抵抗の膜が得られることから，ZnO 系薄膜の導電特性は，酸素空孔によるキャリア主導であると考えられる。このことから，通常のAZO 焼結体ターゲットにより作製される膜より，Zn が多く含まれる膜が作製できれば，5×10~(-4)･cm 以下のAZO薄膜を得ることができると考えられる。