Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2強誘電体薄膜の相変化時に起きる微細構造変化

摘要

HfO_2系強誘電体は次世代の大容量メモリ技術として期待される材料である。HfO_2をベースとして他の金属元素を適量に添加し、結晶膜を作ることで強誘電体が得られる。3 nmという非常に薄い膜でも強誘電性が維持される。最近では400°C以下の熱処理でも良質な強誘電体薄膜が生成可能なことが報告されており、集積回路技術の配線工程へのメモリの作り込みも期待できる。現在、キャパシタ型(FeRAM)、トランジスタ型(FeFET)、接合型(FTJ)といった様々なメモリ技術の開発が進められている。