[招待講演]強誘電体Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2膜中への単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタ型メモリアレイの閾値電圧ばらつきに与える効果

摘要

強誘電体Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2(HZO)膜中への単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタ型メモリアレイの閾値電圧ばらつきに与える効果を調査した。HZO膜中に分布しているAlナノクラスタを単層Siで覆うことによりAlナノクラスタの凝集が抑制され、強誘電体の配向性や分域成長速度が揃うことを示した。その効果は強誘電体トランジスタにおける基板電位揺らぎと重畳し、メモリアレイにおける閾値電圧ばらつきを抑制することを実証した。