NiO/ Al_2O_3 上ã«ãŠã‘ã‚‹VO_2 薄膜ã®é›»å­æ§‹é€ ã¨é‡‘å±-絶ç¸ä½“転移ã®åˆ¶å¾¡

摘要

VO_2 単結晶は、約340K でmonoclinic 型の低温絶縁相からrutile 型の高温金属相へと相転移する。この金属-絶縁体転移(M-I 転移)は、イオン液体を用いた電気二重層トランジスターや格子歪・酸素欠陥を持つVO2 薄膜において制御可能であることから、抵抗変化メモリー素子への応用が期待されている。また、K ナノ粒子をVO_2 薄膜表面に蒸着させた場合でも転移を制御できる。以上の報告を踏まえ、ナノ粒子や多層膜化では、VO_2 膜自身の格子歪と界面での電荷移動の両方の効果が期待されるが、本研究ではAl_2O_3 基板上にVO_2/NiO 多層膜を成膜し、M-I 転移に及ぼす電子・結晶構造・電気特性の影響を検証したので報告する。