InP スロット導波路型有機EO ポリマー光変調器の帯域と光損失に関する検討

摘要

Si フォトニクスにおいて広帯域かつ低消費電力なEO ポリマーを用いたハイブリッド型変調器が提案、実証されている。この変調器ではSi スロット導波路中に埋め込まれたEO ポリマー中のポッケルス効果を利用することで純粋な位相変調を行うことができる。一方でこの変調器の帯域はスロット部の容量とスラブと呼ばれるスロットへの接続部の抵抗で決まる。スラブ部の抵抗はドーピング濃度を上げることで低減可能だが、同時に光損失も増大するため広帯域化の妨げとなっている。広帯域化と低損失化を両立する手法としてn 型Ⅲ-Ⅴ 族半導体を導波路に用いることが提案されている 。今回、Silicon-oninsulator(SOI)基板と同様のInP-on-insulator 基板上に作製可能なInP-on-insulator（InP-OI）基板上に作製可能なInP スロット導波路を用いた有機EO ポリマー光変調器について、変調帯域や光損失について数値解析を行った。