炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発

摘要

高放射線環境下で安定して動作する半導体イメージセンサの実現を目指し、耐放射線性の高い半導体である炭化ケイ素（SiC)を用いて、イメージセンサを実現するための各種要素技術開発、及びプロトタイプ試作を行った。イメージセンサを構成する要素素子としてノーマリーオフJFETを開発し、炉内の燃料デブリ探索で要求されるMGyオーダの高線量環境においてもVthおよびg_mがほぼ変化せず、高い、耐放射線性が得られることを示した。また試作した1画素UVイメージセンサが3MGy照射後も正常に動作することを確認し、MGyオーダの耐放射線性を有することを実証した。