SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発

摘要

本稿では，スイッチング動作の高精度解析を目指したSiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルを紹介した。本モデルは，出力特性部，内蔵ゲート抵抗，端子間寄生容量，寄生インダクタンスで構築した。出力特性はデバイス断面構造とMOSFET動作式を併用し，物理モデルを開発した。端子間寄生容量はスィツチング動作期間の容量特性評価に基づき，電圧依存性モデルを構築した。寄生インダクタンスはZ_C共振を利用した測定手法を考案し，評価した。またデバイスを駆動するゲートドライブ回路にも着眼し，等価回路モデルを構築した。誘導性スイッチング動作を対象としたシミュレーシヨン評価では，ゲート回路の動作，主回路の動作とも良好な整合を確認した。