熱拡散により作製した深紫外発光ZnAl_2O_4薄膜の膜質評価

摘要

スパッタリング法により、サファイア基板上にZnO膜を堆積させ、熱披散によりZnAl_2O_4薄膜を作製した。電子線励起発光測定を行い、膜内部の発光層の分布について、加速電圧の変化に伴う電子線侵入深さと、紫外発光強度の関係から分析を行った。