5G mobile communication; BiCMOS analogue integrated circuits; circuit tuning; current mirrors; field effect MMIC; integrated circuit design; low-power electronics; MMIC mixers; S-parameters;
机译:使用0.35-μMSiGe BiCMOS技术的5 GHz带宽WLAN应用的高线性度缩微器
机译:使用SIGE HBT和GAINP / GAAS HBT技术比较宽带吉尔伯特微粉化器
机译:使用GaInP / GaAs HBT技术的DC至8 GHz 11 dB增益吉尔伯特微型混频器
机译:适用于5G中继器的可切换,无源调谐的28 GHz至39 GHz上变频链路,在130 nm BiCMOS技术中使用宽带耦合器和模拟预失真
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:具有0.18μmSiGeBICMOS技术的5GS / S 8位ADC,具有自校准
机译:用于BICmOs-JFET Radhard sOI技术的高能物理模拟IC的质子辐射效应研究