Transducers; Dielectrics; Sensors; Scattering parameters; Silicon germanium; BiCMOS integrated circuits; Dielectric measurement;
机译:基于240-GHz反射计的介电传感器,具有130nm SiGe Bicmos技术的集成换能器
机译:480-GHz传感器,具有次谐波搅拌机和130nm SiGe BICMOS技术的集成换能器
机译:采用130nm SiGe:C BiCMOS技术的220–275 GHz直接转换接收器
机译:207-257 GHz综合传感读数系统,具有130纳米SIGE BICMOS技术的换能器
机译:用于光通信变送器的SiGe BICMOS集成电路=光学通信变送器的SiGe BICMOS集成电路
机译:通过3D打印技术概述与实时读取系统相连的微组织模型
机译:基于240-GHz反射计的介电传感器,具有130nm SiGe Bicmos技术的集成换能器
机译:18 GHz,10.9 dBm全集成功率放大器,130 nm CmOs中具有23.5%paE