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【24h】

EBSD(電子線後方散乱回折)法による結晶方位変化に注目した疲労き裂伝ぱ挙動に関する研究

机译:EBSD(电子束后散射衍射晶体取向晶体取向变化的疲劳裂纹传播行为研究

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摘要

近年,電子部品等の小型化·軽量化が進み,これらの部品に使用される材料は膜状態で使用される場合が多い.そこで本研究では,試験片として膜厚100μmの工業用純鉄を用いて一定応力振幅の下で疲労試験を行った.このとき電子線後方散乱回折(EBSD: Electron Back-Scatter Diffraction)法を用いて結晶方位解析を行い,得られた方位行列を基に疲労試験前後の同一箇所における結晶方位の変化を定量的に評価する方法を開発した.さらにその結果から疲労き裂周辺の結晶方位変化と,き裂伝ぱ挙動との相関について考察した.
机译:近年来,进展了电子元件等的小型化和重量减轻,并且用于这些部件的材料通常用于膜条件。因此,在该研究中,使用厚度为100μm作为试件的工业纯铁在恒定应力幅度下进行疲劳试验。此时,使用电子束反向散射衍射(EBSD:电子背面散射衍射)进行晶体取向分析,并且在基于所获得的方向矩阵的疲劳测试之前和之后的相同位置的晶体取向变化定量评估开发的方法。此外,我们考虑了围绕疲劳裂纹和裂纹传播行为之间的晶体取向变化之间的相关性。

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