EUV photoresist; LWR; LER; PSD; nano-failures; nano-bridges; broken lines; iN7; N5; stochastics;
机译:在N5和N7技术节点的酸性溶液中实现高迁移率通道材料的原子层级处理
机译:起皱的EUV防护薄膜在各种光照下透射不均匀对N5图案的影响
机译:通过非化学放大的光致抗蚀剂的EUV定向极性切换来图案化高度有序的复合纳米覆盖物阵列
机译:IMEC N7 / N5技术的EUV光致抗蚀剂图案化表征
机译:先进的工艺技术,用于在集成电路制造中去除图案化的离子注入光刻胶
机译:通过非化学放大光刻胶的EUV定向极性切换对复杂纳米特征的高度有序阵列进行构图
机译:EUV光刻插入制造中的准备情况:IMEC EUV计划