2 Si nanowire (NW) field'/>
Silicon; Ions; Semiconductor process modeling; Doping profiles; Logic gates; Field effect transistors; Fluctuations;
机译:窄栅全能硅纳米线晶体管中沟道长度和截面对随机离散掺杂引起的变异性影响的量子传输研究。
机译:离散随机掺杂物涨落对纳米级掺杂物隔离的肖特基势垒纳米线的影响
机译:纳米线n-MOSFET周围无掺杂沟道Si栅极中随机掺杂物波动引起的变异性
机译:掺杂剂扩散对Si纳米线FET中随机掺杂物波动的影响:量子传输研究
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:3D密度梯度模拟研究:由于量子效应,随机掺杂剂引起的阈值波动增加,而亚100 nm MOSFET的阈值波动降低:
机译:由量子效应引起的随机掺杂剂诱导阈值波动和低于100 nm mOsFET的降低:三维密度梯度模拟研究