Logic gates; Silicon; Indium gallium arsenide; Nanoscale devices; Annealing; Performance evaluation; Ions;
机译:在纳米管模板中使用选择性外延在硅上集成垂直InAs-Si栅极全能隧道FET
机译:Facet-Selective Group-III在Ingaas模板中的辅助选择性外延
机译:分析漏极电流和性能评估in Ingaas门 - 全部MOSFET
机译:高性能Ingaas门 - 全面纳米柱FET在SI上使用模板辅助选择性外延
机译:氮化镓在硅上的化学束外延:使用碳化硅作为模板和选择性区域生长。
机译:在超宽窗口中与InGaAs QWS异质结构的选择性区域外延的表面纳米结构
机译:使用纳米管模板中的选择性外延,在si上集成垂直Inas-si栅极全环隧道FET