MISFETs; Logic gates; Nonhomogeneous media; Silicon; Dielectrics; Surface treatment; Hysteresis;
机译:利用Ar / H_2环境退火的Si表面扁平化的过程温度降低及其在双层HFN高k门绝缘体中的应用于SOI-MISFET
机译:锗凝结技术制作的高k栅介质和金属栅GOI-MOSFET的分析
机译:在没有表面功能化的情况下,在顶部栅极MoS_2晶体管上的亚10纳米高K栅极电介质的原子层沉积
机译:具有高k栅极介电层的准弹道传输MISFET中的低场迁移率和高场载流子速度之间的定量相关性
机译:使用III-V半导体在原子层上沉积高k栅极电介质的MOS接口的研究。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:使用介电势垒放电对Ge(100)表面进行等离子体氧化,通过亚稳态感应电子光谱,紫外光电子光谱和X射线光电子光谱研究