MEMSマイクロホンの犠牲層エッチング後に発生する柱状異物の発生メカニズムと抑制手法の検証

摘要

MEMSマイクロホンの作製プロセスで一般的に利用されるフッ酸水溶液による SiO_2 膜の犠牲層エッチングにおいて、プロセス後にエアギャップ部に柱状異物が発生について報告した。現物解析から、柱状異物はエッチング不足によるものではなく、エッチング溶解物が IPA ペーパ法による乾燥時に再析出したものであると考えた。発生を抑制するため効果的であったのは最終工程で浸液される IPA 液での置換回数や、IPA 液の処理バッチを少なくすることであった。