Logic gates; Predictive models; Charge carrier density; Integrated circuit modeling; MOSFET; Dielectrics; Turning;
机译:纳米级MOSFET中随机电报信号幅度的头部和尾部分布的统计模型
机译:统计阻抗场法研究纳米MOS器件的RTN幅值统计
机译:取决于n-MOSFET的GIDL电流中氧化物陷阱的随机电报噪声(RTN)的位置
机译:在纳米MOSFET中随机电报噪声(RTN)幅度的物理建模:从理想到统计设备
机译:纳米级MOSFET,碳纳米管器件和集成电路的热和性能建模。
机译:接触电阻式随机存取存储设备中的电子传导建模为随机电报噪声
机译:纳米mOsFET中随机电报噪声(RTN)幅度的研究:“反转层中的空穴”模型的缩放极限
机译:人造和自然无线电噪声的统计 - 物理模型。第三部分。 B类干扰瞬时幅度的一阶概率模型,