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FePt合金系ェピタキシャル薄膜におけるL1_0規則結晶相の成長機構

机译:L1_0常规晶体阶段基于缺陷型致密膜的生长机理

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摘要

高い磁気異方性を持つLl_0-FePt系合金薄膜は、高密度磁気記録媒体やMRAM応用で積極的な研究開 発が行われている。次世代磁性デバイス応用では、10 nm以下の極薄薄膜を対象に結晶配向、規則度、膜平坦性を 高度制御することが必要となる。本研究では、(001)方位の単結晶基板を用いた薄膜エピタキシャル成長技術を活 用して200 °Cで不規則構造(A1相)を持つFePt系合金薄膜(厚さ:10nmおよび2nm)を形成し、ついで600 °C 加熱により規則化(L1_0相)させて、不規則相から規則相が形成される過程を高分解能透過電子顕微鏡で詳細に調 ベた。この結果、(1)A1-FePt(OOl)膜では基板もしくはキヤップ層との格子不整合によって結晶格子が面内方向に拡 張し歪hでいること、(2)面内歪が保たれた状態で規則化させることによってc軸を垂直方向に持つLl_0-FePt(001) 薄膜を形成できること、(3)熱処理時に膜凝集や構成元素拡散により膜形態が変化し膜内の歪分布が変化するとc軸 を面内方向に持つLl_0-FePt(100),(010)結晶が混在すること、(4)表面エネルギーの大きな基板や下地材料を用いるこ とによってc軸が垂直方向に制御された表面平滑性の良い極薄のLl_0-FePt(001)膜が得られること、などが明らかに なった。
机译:Ll_0-FePt的具有高密度的磁记录介质和MRAM应用中具有高的磁各向异性,积极研发合金薄膜已经作出。下一代磁装置应用中,在受试者中的结晶取向超薄膜10纳米,有序度以下,就必须高度控制膜的平坦性。在这项研究中,(001)的FePt具有无序结构(A1阶段),使用在活性使用单晶衬底取向薄膜的外延生长技术,以200℃的合金薄膜:形成(厚度为10nm和2纳米),然后600℃通过排序(L1_0相)由下加热是细节调整碱与高分辨率透射型电子显微镜过程有序相从无序相形成。其结果是,在(1)A1-的FePt(OOL)膜,衬底或覆盖层和由晶格膨胀畸变先生在面内方向H戴尔的晶格失配,保持(2)平面应变到c通过规则-轴的状态下,能够形成Ll_0-的FePt(001)具有垂直方向的薄膜,(3)在膜形式的应变分布的改变通过膜聚集和构成要素膜内变化热处理Ll_0期间扩散-FePt具有晶体的c轴的面内方向(100),(010)混合,(4)由Mochiiruko大基板或表面能的下方材料c轴在竖直方向上的表面控制Ll_0-的FePt(001)平滑度良好的层极薄获得和显示。

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